Fotowiderstände

 

Fotowiderstände bestehen einheitlich aus Halbleiter - Mischkristallen. Da keine PN - Sperrschicht vorhanden ist, liegt auch keine Stromrichtungsabhängigkeit des Widerstandes vor. Bei Dunkelheit ist die Zahl der freien Ladungsträger sehr gering, so das sich ein sehr hoher Widerstand ergibt (MW- Bereich). Lichtenergie setzt Ladungsträger frei, die einen Stromfluß ermöglichen und somit den Hellwiderstand auf einige 100W bis einige KW senkt. Das gebräuchlichste Halbleitermaterial für Fotowiderstände für den sichtbaren Bereich ist Cadmiumsulfid. Für Infrarotstrahlung werden Bleisulfid, Bleiselenid und Indiumantimonid verwendet.

 

Aufbau eines Fotowiderstands

 

Der Fotowiderstand hat gegenüber der Fotodiode einige störende Eigenschaften. Cadmiumsulfid reagiert außerordentlich träge, die Grenzfrequenz liegt nur bei einigen Hz. Die anderen genannten Halbleiter sind schneller, aber den Fotodioden dennoch unterlegen. Außerdem driftet der Widerstand nach einer Helligkeitsveränderung eine zeit lang noch nach. Von daher ist der Fotowiderstand für Präzisionsmessungen ungeeignet.

 

Schlüsselwörter für diese Seite: Optoelektronik, Licht, optische Strahlung, Fotowiderstand, Halbleiter, Christian Heidbreder